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BSP135 H6906 /MOSFET N-Ch 600V 20mA SOT-223-3
BSP135 H6906的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:120 mA

Rds On-漏源导通电阻:25 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:4.9 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.8 W

配置:Single

通道模式:Depletion

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.6 mm

长度:6.5 mm

系列:BSP135

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.5 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:80 mS

下降时间:182 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5.6 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:28 ns

典型接通延迟时间:5.4 ns

零件号别名:BSP135H6906XTSA1 SP001058594

单位重量:112 mg

供应商BSP135 H6906
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BSP135 H6906MOSFET N-Ch 600V 20mA SOT-223-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO420.38 Kbytes共9页BSP135 H6906的PDF下载地址
BSP135 H6906连续漏极电流(Id)(25°C 时):120mA 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:1V @ 94?A 漏源导通电阻:45mΩ @ 120mA, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.8W 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO481.51 Kbytes共9页BSP135 H6906的PDF下载地址
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BSP135 H6906Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 20mA SOT-223-31:¥14.0572
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.3733
1,000:¥6.9382
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BSP135 H6906Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):120mA 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:1V @ 94?A 漏源导通电阻:45mΩ @ 120mA, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.8W 类型:N沟道1+:¥15.07
200+:¥5.83
500+:¥5.63
1000+:¥5.53